非易失磁随机存储器（MRAM）因其具有极高的辐射耐受性而受到空间应用领域的广泛关注。其中，自旋-轨道矩磁存储器（SOT-MRAM）具有最优的访问耐久性和访问速度，被认为可替代空间应用的抗辐射SRAM。

通常来讲，SOT-MRAM用磁性薄膜已经在实验上证实对总剂量辐射免疫，然而对SOT-MRAM存储器件的辐射效应研究却相对较少。

中国科学院微电子研究所崔岩等人针对SOT型霍尔器件的总剂量辐射效应进行了重点研究，实验发现SOT霍尔器件的反常霍尔输运特性在辐射过程中出现了明显的可逆变化，这意味着SOT-MRAM的写模式会受到总剂量辐射的影响。该现象可能起源于辐射诱导的非平衡载流子在反常霍尔效应下的异常累积。此项工作将有助于抗辐射SOT-MRAM存储单元的材料、结构设计，为抗辐射SOT-MRAM的研制奠定理论和技术基础。

图.（a）SOT磁性薄膜的结构。（b）SOT霍尔器件的结构。（c）SOT霍尔器件的图像。

The effect of γ-ray irradiation on the SOT magnetic films and Hall devices

Tengzhi Yang, Yan Cui, Yanru Li, Meiyin Yang, Jing Xu, Huiming He, Shiyu Wang, Jing Zhang, Jun Luo

J. Semicond. 2021, 42(2): 024102

doi: 10.1088/1674-4926/42/2/024102

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