HBT广泛应用于高速模拟、数字和混合信号集成电路，其小信号模型的准确性对集成电路的设计起着至关重要的作用。在高频范围内，交流电流拥挤效应是预测HBT器件交流性能的一个关键因素，直接影响了本征基极电容。

杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室刘军研究员课题组提出了一种考虑交流电流拥挤效应的完整π型小信号等效电路模型的精确提取方法。该效应被建模为基极RC并联电路，采用2 μm发射极线宽，发射极面积为2×20 μm2 的GaAs HBT器件，在三种不同的偏压下验证了提取方法的可靠性。

图1. HBT器件的小信号等效模型。

A complete small-signal HBT model including AC current crowding effect

Jinjing Huang, Jun Liu

J. Semicond. 2021, 42(5): 052401

doi:?10.1088/1674-4926/42/5/052401

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