首页
所情概况
所长致辞
机构简介
现任领导
历任领导
学术委员会
学位委员会
组织机构
园区风貌
联系我们
两院院士
中科院院士
工程院院士
机构设置
科研部门
管理部门
科研课题组
党委、纪委
杰出人才
获奖概况
研究生教育
党建与创新文化
创新文化
党建工作
事务办理
信息公开
信息公开规定
信息公开指南
信息公开目录
依申请公开
信息公开年度报告
信息公开联系方式
半导体学报
English
行业动态
基于TiN阳极的无凹槽AlGaN/GaN肖特基二极管的性能优化与电流传导机制分析
Si掺杂氧化镓的亚禁带折射率色散与光学性质
混合集成DFB芯片与质子交换铌酸锂调制器芯片的光发射模块
工作波长大于1.7 μm的波长可调且制作成本低的WG-FP耦合腔激光器
性能调控基于廉价塑料的大容量数据激光直写和可视化读取
轻离子注入裁剪费米能级可实现对新型功能材料与半导体器件的性能调控
基于自下而上和自上而下的方法合成、制造、表征石墨烯的综述
单层镶嵌式二维面内异质阵列的合成
基于钙钛矿量子线阵列的大面积平面和球形发光二极管
双层二维半导体的大面积外延生长
官方微信
扫描关注中科院半导体所
友情链接
---- 各分院 ----
北京分院
沈阳分院
长春分院
上海分院
南京分院
武汉分院
广州分院
成都分院
昆明分院
西安分院
兰州分院
新疆分院
---- 中科院各研究单位网站 ----
数学与系统科学研究院
物理研究所
理论物理研究所
高能物理研究所
力学研究所
声学研究所
理化技术研究所
化学研究所
国家纳米科学中心
生态环境研究中心
过程工程研究所
地理科学与资源研究所
国家天文台
*云南天文台
*新疆天文台
*长春人造卫星观测站
*南京天文光学技术研究所
遥感与数字地球研究所
地质与地球物理研究所
*兰州油气资源研究中心
青藏高原研究所
古脊椎动物与古人类研究所
大气物理研究所
植物研究所
动物研究所
心理研究所
微生物研究所
生物物理研究所
遗传与发育生物学研究所
*农业资源研究中心
北京基因组研究所
计算技术研究所
软件研究所
半导体研究所
微电子研究所
电子学研究所
自动化研究所
电工研究所
工程热物理研究所
国家空间科学中心
光电研究院
自然科学史研究所
科技战略咨询研究院
信息工程研究所
*数据与通信保护研究教育中心
空间应用工程与技术中心
北京综合研究中心
天津工业生物技术研究所
山西煤炭化学研究所
首页
>
行业动态
基于TiN阳极的无凹槽AlGaN/GaN肖特基二极管的性能优化与电流传导机制分析
22-06-23
Si掺杂氧化镓的亚禁带折射率色散与光学性质
22-06-23
混合集成DFB芯片与质子交换铌酸锂调制器芯片的光发射模块
22-06-23
工作波长大于1.7 μm的波长可调且制作成本低的WG-FP耦合腔激光器
22-06-23
性能调控基于廉价塑料的大容量数据激光直写和可视化读取
22-06-23
轻离子注入裁剪费米能级可实现对新型功能材料与半导体器件的性能调控
22-06-23
基于自下而上和自上而下的方法合成、制造、表征石墨烯的综述
22-06-23
单层镶嵌式二维面内异质阵列的合成
22-06-17
基于钙钛矿量子线阵列的大面积平面和球形发光二极管
22-06-17
双层二维半导体的大面积外延生长
22-06-17
中国科大实现硅基量子芯片中自旋轨道耦合强度的高效调控
22-05-05
清华团队阐释层状半导体芯片新材料的横向结电子器件应用
22-05-05
卤化物钙钛矿材料与器件的先进透射电子显微表征研究进展
22-04-28
应力场作用下低维金属氧化物半导体的原位原子尺度结构演变
22-04-28
原位监控半导体催化过程中催化剂材料和反应中间体的动态演变行为
22-04-28
半导体纳米材料结构-性能关系的电子全息研究
22-04-28
应用不同空间分辨技术在器件工作状态下研究单个缺陷对器件性能的影响
22-04-28
有机半导体和器件的原位表征技术
22-04-28
中国科大实现基于简并腔中涡旋光子的拓扑量子模拟
22-04-22
西安交大电光晶体研究成果在《科学》发表
22-04-22
共10页
1
2
3
4
5
下一页
下5页
尾页
关于
我们
下载视频观看
联系
方式
通信地址
北京市海淀区清华东路甲35号(林大北路中段) 北京912信箱 (100083)
电话
010-82304210/010-82305052(传真)
E-mail
semi@semi.ac.cn
交通地图
友情
链接
中华人民共和国科技技术部
中国科学院
中国工程院
国家自然科学基金委员会
中国科学院大学
中国科学技术大学
中国科学院科技产业网
版权所有 中国科学院半导体研究所
备案号:,
京ICP备05085259-1号
京公网安备110402500052
中国科学院半导体所声明