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1956年，在我国十二年科学技术发展远景规划中，半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地，国家于1960年9月6日在北京成立中国科学院半导体研究所（以下简称“半导体所”），开启了中国半导体科学技术的发展之路。

建所60多年来，半导体所在我国半导体科技发展的各个历史阶段都曾做出过重大贡献，研制出中国第一只锗晶体管、硅平面晶体管、半导体固体组件；研发出第一根锗单晶、硅单晶、砷化镓单晶；制造出第一台硅单晶炉、区熔炉……取得了一系列重大原创性成果。共获得国家级奖励近40项，黄昆院士荣获2001年度国家最高科学技术奖。半导体所现已发展成为集半导体物理、材料、器件及其系统集成应用于一体的国家级半导体科学技术的综合性研究机构。

回顾历史，令人鼓舞；展望未来，任重道远。在此，我谨代表半导体所党政领导班子和全体同志，向长期以来关心和支持半导体所建设和发展的各级领导、海内外广大朋友和社会各界人士，致以诚挚的问候和衷心的感谢！

目前正值实施“率先行动”计划第二阶段和“十四五”规划关键时期,半导体所将以习近平新时代中国特色社会主义理论为指导，全面落实院党组的各项要求，牢记国家战略科技力量的使命与担当，把“四个率先”和“两加快一努力”作为一切工作的出发点和落脚点，抓住机遇，迎接挑战，抢占科技制高点，实现半导体所的高质量发展，为半导体科技领域的自立自强作出应有贡献！

衷心地欢迎和期待海内外半导体科学技术领域的精英访问、加盟半导体所！

感谢您对半导体所的关注和支持。 

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