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第135期: On the Development of Novel Designer Materials

2011-02-18
报告题目:On the Development of Novel Designer Materials

报告人:Prof. Dr. G. S. Shao, Institute for Materials Research and Innovation, University of Bolton, UK

报告时间:2011年2月22日(星期二)上午10:00

报告地点:中国科学院半导体研究所学术沙龙室(1号楼107)

Abstract:Multi-scale modelling has been considered to be key to guiding cost-effective development materials with "designer" property requirements. The presentation will cover the strategy for materials design by the combination of top-down and bottom-up approaches, with examples covering fundamental modelling, the interplay between materials energetics and kinetics on phase evolution, alloy/materials design, materials processing and characterization.

报告人介绍:邵国胜,男,英国萨利大学(University of Surrey)材料学博士(1995),英国博尔顿大学(University of Bolton)计算材料学教授、博士生导师。学术兼职包括:英国材料化学委员会委员、材料学会专业会员,美、英、欧科研基金评委,日环太环境半导体研讨会国际顾问,材料学会可持续材料研讨会筹委等。邵国胜教授主要研究领域包括以多尺度材料模拟指导下的智能材料设计、新型多功能材料及器件的制备及高分辨材料电子显微分析等,近年研究以新型再生能源材料及光电(伏)器件为中心。先后发表Nature、Acta Mater.、Appl. Phys. Lett.,Phys. Rev.等SCI国际核心刊物论文110余篇,其他百余篇,1996年以来SCI他引千余次,申请及获得国际专利多项。邵国胜教授近年的主要学术贡献包括:建立非晶相形成理论并首次预见及成功制备无定形金属硅化物半导体,并有望成为新型低成本高性能太阳能电池的核心材料;首次成功实现宽能带氧化物半导体的能带改造使之适用于新型低成本高性能太阳能电池及可见光区自清洁材料;建立了钛基金属间化合物中Omega相变的预报方法;首次建立了长程周期性超结构的电子衍射理论;建立了应用高能X射线光电子能谱研究合金化电子过程的方法;首创硅基发光器,从而引发国际硅基发光研究热潮。

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