国际著名磁性半导体研究先驱—美国佛罗里达州立大学Stephan von Molnár教授于10月13日来我所学术交流，并在“黄昆半导体科学技术论坛”上作第82期报告，报告题目为“Magnetic Heterostructures for Spintronic Applications”，论坛由郑厚植院士主持。

    来自中科院半导体所、物理所和北京大学等研究所和高校的部分科研人员及研究生到会听取了报告。von Molnár教授在报告中首先概括介绍了半导体自旋电子学研究的发展历程和现状，然后着重介绍了其研究小组近年来在半导体自旋电子学方面开展的部分工作，包括极化自旋由磁性半导体EuS向半导体GaAs中的全电学注入及检测等。他还描述了通过光照GaAlAs:Si产生的金属-绝缘体相变实现在同一材料中研究不同载流子浓度对自旋注入影响的可能性，并简单介绍了正在进行的与半导体所的合作研究工作，即Fe/GaAlAs:Si异质结构自旋动力学过程研究等。von Molnár教授的报告引起了参会人员的浓厚兴趣，现场讨论气氛十分热烈。此次报告对我所开展半导体自旋电子学方面的研究工作起到了很好的借鉴作用。

    von Molnár教授的同事、美国佛罗里达州立大学的熊鹏教授曾于今年8月5日来我所进行过学术交流，von Molnár教授的本次来访对进一步加强我所和佛罗里达州立大学在半导体自旋电子学研究方面的合作研究起到了积极的促进作用。