美国佐治亚州理工大学王中林教授(中科院半导体所荣誉教授)应我所王占国院士的邀请，于10月27日来我所学术交流，并在“黄昆半导体科学技术论坛”上作了第84期报告。论坛由王占国院士主持。

    王中林教授主要介绍了ZnO纳米发电机和压电电子学两个方面的工作。王教授及其研究小组在纳米材料到纳米器件，纳米器件到纳米系统，从纳米系统再到自驱动纳米系统，都做了出色的工作。能源问题是当前迫切需要解决的重要问题，这包含如何开发新能源，如何提高现有能源的利用率(节约现有能源)等。在极小尺度下的可植入生物传感器、高灵敏的化学和生物传感器、纳米机器人、微机电系统、远程可移动环境探测器、国家防御系统、便携个人电子器件中，独立持续的能量供应是很急需的。而自驱动纳米系统是实现上述应用的重要途径。最后，王教授讲述了他新提出的压电电子学概念，使用压电-半导体耦合性质来制备新型新颖的电子元器件，同时也强调原始创新的风险和艰辛。

    王中林教授的报告深入浅出，语言生动幽默，讲解透彻，在ZnO纳米工作上的新颖想法，令同行深受启发，受益匪浅。会场座无虚席，报告完毕，大家反应热烈，就材料的生长、测试及其影响因素纷纷向王教授提问和讨论，并提出进一步与其他功能材料器件耦合的设想。王中林教授的本次来访对进一步加强我所在半导体材料器件研究方面的对外交流和合作研究起到了积极的促进作用。