清华大学材料科学与工程系章晓中教授于12月11日来我所进行了学术交流，并在“黄昆半导体科学技术论坛”上作报告，报告题目为“新型自旋电子学材料(Fe,Co)x-C1-x /Si纳米结构”，论坛由赵建华研究员主持。

    来自我所的部分科研人员及研究生到会听取了报告。章教授在报告中首先介绍了清华大学材料科学与工程系的教学和科研等概况，然后着重介绍了其研究组近年来在碳基自旋电子学方面开展的部分工作。章教授研究组利用PLD方法在硅衬底上制备了(Fe,Co)x-C1-x /Si纳米结构，该半导体材料不具有宏观铁磁性，但是却具有室温下的低场磁电阻并且还具有开关效应、门电压效应、电流－电压特性的回线效应、光响应和气压敏感效应等新颖的物性，这些独特的性质使得该材料具有很大的应用前景和物理研究价值。章教授的报告引起了参会人员的浓厚兴趣，现场讨论气氛十分热烈。章教授此次来访对加强我所与清华大学开展在半导体自旋电子学研究方面的合作研究起到了积极的促进作用。