中科院半导体研究所超晶格国家重点实验室拟招收一名博士后，开展基于半导体InAs/GaAs 单量子点中纠缠光子的光学制备及测量。主要研究工作有：调谐单量子点中单/双激子精细结构劈裂，实现双/单激子的级联跃迁的量子纠缠态。目前调谐单双激子精细结构的方法有应力，退火，磁场，电场等调谐手段。此外, 还可以开展单光子相关的其它物理研究工作，及光学微腔中强耦合量子点体系。

接收条件：从事半导体光学实验物理，或量子光学实验工作。

联系人： 孙宝权

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