III-V族刻蚀设备英国Oxford公司 Plasmalab System100系统，主要技术指标：可以刻蚀多种化合物及多元化合物；二氧化硅刻蚀选择比：4:1~10:1；侧壁与底面夹角：>85°
硅刻蚀设备法国Alcate 公司 Alcate 601E系统，主要技术指标：最大刻蚀深度大于600微米；刻蚀均匀性±<2.5%；常规多步硅刻蚀速率为5 到10 μm/min，最高可达18μm/min；硅/二氧化硅刻蚀选择比：>150:1，硅/光刻胶刻蚀选择比：>50:1，侧壁与底面夹角：90°±1°
国产ICP刻蚀系统
