7月1日下午，半导体所党委书记、副所长冯仁国代表所党委亲切看望中国工程院院士陈良惠同志，为他颁发“光荣在党50年”纪念章，并向他表示衷心的祝贺和崇高的敬意。党委办公室、纳米光电子党支部负责同志陪同看望。

冯仁国为陈良惠颁发“光荣在党50年”纪念章

6月26日，在半导体所庆祝建党104周年暨“迈向抢占科技制高点新征程”主题大会上，陈良惠院士没有来到现场，他特意委托纳米光电子党支部书记李川川同志代表他发表讲话。陈院士亲自撰写的发言以“跟党志不移 科学报国情”为题，深情回顾了他入党50年的心路历程以及科研创新之路，与会同志深切感受到了一位86岁党员科学家“科技报国、创新为民”的高尚情操，对党忠诚、为党奉献的坚定信念和深厚情怀。

陈良惠，半导体光电子学家。1939年10月生于福建，1963年毕业于复旦大学物理系，同年进入中国科学院半导体研究所工作，1975年6月加入中国共产党。1999年当选中国工程院院士。曾任国家863计划光电子主题专家组副组长、中国科学院半导体研究所副所长。主持并出色完成国家863计划、自然科学基金、中国科学院多项重大任务，在光通信、光信息处理、光存储、光量子和激光医疗等方面发挥了重要作用。主持研究成功高速硅光探测器。首次发现长波长激光器的空穴泄漏现象，提出俄歇泄漏模型。针对不同应用，形成系列，使我国光电子器件跃上量子阱结构新阶段，器件性能达到国际先进水平，并工程化形成百万支各类光电子器件的年生产能力。主持研制的“低阈值和高速超短光脉冲量子阱激光器”获中国科学院科技进步一等奖（1992）、国家科技进步三等奖（1995）；“大功率半导体量子阱激光器”获中国科学院科技进步一等奖（1997）、国家科技进步三等奖（1998）；“670nm半导体量子阱激光器批量生产”获中国科学院科技进步一等奖（1999）、国家科技进步二等奖（2000）。此外还获北京市科学技术奖二等奖、中国光学工程学会科技创新奖一等奖等多个省部级奖项。根据我国光电子技术及其产业化的要求和国内外市场的需要，主持建立了国家光电子器件工程研究中心，1996年通过国家验收，成为国家级光电子器件的研究、开发和工程化产业化基地。主导并联合多名专家向国家建议开展半导体照明工程，实现年节电量超千亿度的社会效益。发表学术论文100余篇、著有《半导体照明技术、产业和来发展》一书（2023年出版）。

50年党龄，50载光荣。“光荣在党50年”纪念章诠释了陈良惠院士用忠诚和奉献对党的无限热爱，希望全所同志以陈良惠院士等老一辈科学家们为榜样，赓续优良传统，传承科学家精神，在半导体所发展征程上继续传承国家战略科技力量的使命和担当，立足岗位，真抓实干，为抢占半导体科技制高点和推动研究所各项事业发展贡献自己的力量。

 附件：陈良惠院士在半导体所庆祝建党104周年暨“迈向抢占科技制高点新征程”主题大会上的书面发言。