半导体所在高功率、低噪声量子点DFB单模激光器研究方面取得重要进展
中国科学院副院长阴和俊调研半导体研究所
半导体所举行2023届研究生毕业典礼
中国共产党中国科学院半导体研究所召开党员代表大会
半导体所研制出一款超高集成度光学卷积处理器
半导体所在硅上In线的光致相变机理中取得新进展
半导体所发现亚铁磁自旋调控新机理
中科院召开2023年度工作会议
半导体所在激子-声子的量子干涉研究方面取得进展
半导体所召开2022年度工作总结报告会
官方微信
友情链接

第三届国际紫外材料与器件会议(IWUMD-2018)在昆明隆重召开

2018-12-18

2018年12月9-12日,第三届国际紫外材料与器件会议(IWUMD-2018)在云南省昆明云安会都酒店召开。会议吸引了来自中国、美国、俄罗斯、加拿大、德国、法国、日本、韩国等国在内的十二个国家和地区的270余位代表出席了本次会议。

第一、第二届IWUMD分别在中国北京、日本福冈举办。本届会议由中国科学院半导体研究所、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)和半导体照明联合创新国家重点实验室联合主办,北京大学、厦门大学、昆明理工大学共同协办。

本次会议特别邀请了国内外在紫外材料和器件相关领域的20多位知名专家就紫外材料的外延生长、物理机制和相关器件等方面做了特邀报告,充分展示了国内外在这些技术领域的最新成果和最新动态,特别是我国在紫外相关材料和器件方面的最新进展。目前我国的研发及产业化水平已达到国际先进水平。此外大会内容丰富,包括会前特邀五位国际专家进行了专题培训;除了开闭幕大会以外,还设置了两个并行分会,邀请报告、口头报告和海报等环节,受到了参会代表的一致好评。

由于半导体照明新兴产业的带动,紫外材料和器件技术及其相关应用得到了前所未有的快速发展。本次会议为国内外从事紫外材料和器件相关技术研发的科研人员提供相互了解和交流的机会,促进了国内外紫外材料和器件相关研究机构的沟通与合作,为进一步加快我国紫外材料和器件技术创新及该技术的产业化推广应用起到了积极的作用。

  

  

  大会程序委员会主席、中科院半导体研究所研究员 王军喜 主持开幕式

    

大会主席、中科院半导体研究所研究员、联盟研发执行主席、联合创新国家重点实验室主任李晋闽为大会致辞

  

                            厦门大学校长张荣作大会邀请报告

   

                                   大会现场

  

                                     培训现场

  

                                 优秀论文颁奖



关于我们
下载视频观看
联系方式
通信地址

北京市海淀区清华东路甲35号(林大北路中段) 北京912信箱 (100083)

电话

010-82304210/010-82305052(传真)

E-mail

semi@semi.ac.cn

交通地图
版权所有 中国科学院半导体研究所

备案号:京ICP备05085259-1号 京公网安备110402500052 中国科学院半导体所声明