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北京市科委许强主任一行来访半导体所

2019-01-04
 

 

2019年1月3日上午,北京市科委许强主任一行7人访问半导体所。

首先,许强主任一行参观了半导体材料院重点实验室光电磁功能薄膜与空间晶体研究组了解钙钛矿太阳能电池最新研究进展,有机无机杂化钙钛矿材料具有优异和独特的光电性能,近年来发展迅速,游经碧研究员团队经过不懈努力已实现23.7%的太阳能电池效率,连续两次创造钙钛矿电池转换效率的世界纪录;占据了中国在光伏领域的五个世界纪录中的两个。

同时参观了集成光电子学国家重点实验室GaN基光电子材料与器件研究组,赵德刚研究员团队实现国内第一只GaN紫外激光器,其中382 nm 激光器室温电注入连续激射,阈值电流密度2.8 kA/cm2,输出功率60mW。

随后许强主任一行与半导体所副所长(法定代表人)祝宁华,副所长杨富华、谭平恒,所长助理张韵、李明及相关科研人员进行了座谈交流。

祝宁华代表半导体所对许强主任一行的到来表示热烈欢迎,并就北京市科委一直以来对半导体所的支持表示感谢。许强主任肯定了半导体所在光电子领域突出的科研进展,解决了"卡脖子"问题,表示科委会持续关注与支持,也希望半导体所的科研成果能更好的服务于北京建设全国科技创新中心。

参加此次调研的还有北京市科委副主任张光连,北京科技协作中心副主任徐琤,北京市科委办公室主任龚维幂、新能源与新材料处处长许心超、电子信息与装备制造处副处长韩健;半导体所光电子研发中心主任赵德刚,材料学重点实验室主任王智杰,张兴旺研究员,游经碧研究员等。






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