行业动态
中国科大实现硅基量子芯片中自旋轨道耦合强度的高效调控
清华团队阐释层状半导体芯片新材料的横向结电子器件应用
卤化物钙钛矿材料与器件的先进透射电子显微表征研究进展
应力场作用下低维金属氧化物半导体的原位原子尺度结构演变
原位监控半导体催化过程中催化剂材料和反应中间体的动态演变行为
半导体纳米材料结构-性能关系的电子全息研究
应用不同空间分辨技术在器件工作状态下研究单个缺陷对器件性能的影响
有机半导体和器件的原位表征技术
中国科大实现基于简并腔中涡旋光子的拓扑量子模拟
西安交大电光晶体研究成果在《科学》发表
官方微信


扫描关注中科院半导体所

友情链接
首页 > 行业动态
通过卷积神经网络和多处理实现了多 I-V特征的TCAD增强机器学习框架 21-12-10
Ce掺杂Bi2Te3薄膜的分子束外延制备及其电输运性质研究 21-12-10
用于追踪低浓度氨的ZnS基量子点的合成与表征 21-12-10
喷射沉积Fe掺杂TiO2薄膜的湿敏特性 21-12-10
松山湖材料实验室和北京大学共同研制出4英寸无开裂高质量氮化铝单晶模板 21-12-10
片状增益结构提高等离激元纳米激光器效率 21-12-09
高增益高效率X波段AlGaN/GaN HEMT微波功率器件 21-12-09
新型水热法合成氧化铈纳米光催化剂 21-12-09
>35%效率 (AM0，1sun) 空间高效五结太阳电池 21-12-09
中心对称β-MA2Z4衍生的单层Janus MSiGeN4 (M = Zr和Hf)：第一性原理研究 21-12-09
以二维GaSb为沟道材料的晶体管的量子输运模拟 21-12-09
北大物理学院戴伦教授课题组研制出基于二维磁性半导体碘化铬（CrI3）的旋光性... 21-12-03
北京大学量子材料科学中心杜瑞瑞及冯济教授课题组在三维外尔半金属中发现一维... 21-11-25
西安交大科研人员在二维磁性半导体领域取得重要进展 21-11-25
中国科大实现高维量子纠缠态的最优检测 21-11-25
北京大学《Nature》：高鹏研究员课题组实现界面局域声子色散测量 21-11-19
物理系周树云及合作者发表量子材料光诱导新奇物理效应综述文章 21-11-18
基于脉冲串测试方案的负电容FinFET时域特性研究 21-11-09
4H-SiC肖特基势垒二极管芯片横向扩展电流研究 21-11-09
通过引入Au缓冲层提高铁电薄膜的光电化学性能 21-11-09
共10页  首页上一页12345下一页下5页尾页
关于我们
下载视频观看
联系方式
通信地址

北京市海淀区清华东路甲35号（林大北路中段） 北京912信箱 (100083)

电话

010-82304210/010-82305052(传真)

E-mail

semi@semi.ac.cn

交通地图
友情链接
中华人民共和国科技技术部
中国科学院
中国工程院
国家自然科学基金委员会
中国科学院大学
中国科学技术大学
中国科学院科技产业网
版权所有 中国科学院半导体研究所

备案号：,京ICP备05085259-1号 京公网安备110402500052 中国科学院半导体所声明